Более того, производитель заявил, что при создании новой флеш-памяти для флагманских смартфонов использовалась память Samsung V-NAND седьмого поколения, а также фирменный контроллер (о нём информации не предоставили). Благодаря этому удалось реализовать внушительные скорости обмена информацией — последовательное чтение до 4200 МБ/сек и последовательную запись до 2800 МБ/сек. В Samsung заявили о двукратном приросте скорости чтения и 1,6-кратном приросте скорости записи в сравнении с UFS 3.1 — это, безусловно, внушительный показатель, ведь даже предыдущее поколение памяти уже отлично справлялось с почти любыми задачами.
Но повышение скорости — не единственное улучшение, над которым работали инженеры Samsung. Дело в том, что новая память обладает ещё и весьма внушительной энергетической эффективностью, что будет крайне полезно будущим флагманам. Производитель отметил, что затраты энергии в сравнении с UFS 3.1 сократились на 46% — это должно заметно повлиять на длительность автономной работы смартфона. А ещё объём модуля памяти достигает 1 ТБ — это, безусловно, не рекорд для современного рынка, но памяти нового формата явно будет предостаточно, чтобы удовлетворить любые запросы аудитории.
Производство памяти UFS 4.0 должно стартовать в третьем квартале текущего года, когда память появится в смартфонах — не сообщают.
Материалы по теме:
- Xiaomi нашла формулу хорошего недорогого смартфона. Обзор Redmi 10C
Какой смартфон купить в мае 2022: рейтинг лучших моделей на любой бюджет
Смартфон Xiaomi с акцентом на мощность вышел удачным. Тестирую Poco F4 GT
Какой смысл в игровом смартфоне (особенно с вентилятором)? Обзор Red Magic 7 Pro
Камерофон — это не только Pixel, Samsung или iPhone. Тестирую Vivo X70 Pro+
Источник: